Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Experiments on the deposition of GaN thin films were carried out in an ECR plasma reactor using nitrogen gas and trimethylgallium (TMG) as precursors. Electron temperature and nitrogen species adjacent to the substrate surface during deposition were measured by a CCD spectrometer. We observed an optimum electron temperature for the growth rate. The result suggests that tuning of electron energy (or temperature) can be used to optimize the deposition and electron temperature near the substrate surface may be a candidate for one of the control parameters in plasma-assisted CVD.