Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Deposition of Ni as contact on 4H-SiC has been investigated. Ni/4H-SiC samples were annealed at temperatures of 600, 800 and 950 o C for 30min and were non-destructively characterized by soft X-ray emission spectroscopy (SXES) using synchrotron radiation as excitation. Si L 2,3 SXE showed the formation of Ni 2 Si for all annealing temperatures. The C K SXE indicated...
This investigation deals with the impact of pre-treatment and Ni thickness on the reactions of Ni–silicide/SiC contact fabrication. The specimens have been prepared by sputter depositing 3–100nm Ni layer on 4H–SiC wafer followed by annealing at 800°C in vacuum for 20min. The results by means of XPS show as follows: among the chemical cleaning procedures which have been tested, the recipe NH 4...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.