Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The photoluminescence spectrum of the layered semiconductor gallium selenide was investigated with a custom-built Raman microscope equipped with a HeNe laser. The spectrum is characterized by three broad and intense bands, which are mainly located to the blue of the laser line. This is interpreted as second-harmonic generation in the laser focus followed by the excitation of electrons into the conduction band and luminescence emission from direct-gap Wannier excitons. The three bands are tentatively ascribed to three crystal modifications of the material. Their lateral intensity distributions were mapped with the confocal microscope.