Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The development of the surface structures of carbon-doped epitaxial GaAs layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy was investigated by atomic force microscopy (AFM). Carbon-doped GaAs layers were grown using trimethyl gallium and a mixture of AsH 3 /TMAs. The AFM micrographs were quantitatively analyzed through the determination of the height-height and height-difference correlation functions, which yields both the short and long range surface structures. The incorporation of carbon leads to the progressive roughening of the GaAs surface as well as an increase in surface correlation length. The high concentration of surface-adsorbed methyl radicals are suggested to lead to the diminution of growth rate and change in surface structure.