Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work, MBE growth of lattice-relaxed InAlAs graded buffer layers on GaAs substrates has been studied. A simple method has been developed to optimize indium content decrease in inverse step buffer layers to generate totally relaxed metamorphic layers. The dependence of strain relaxation on the composition profile of the graded buffer is shown.
Institut d'Electronique et de Microélectronique du Nord, UMR-CNRS 8520, Avenue Poincaré, Université de Lille 1, BP 69, 59652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France