Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The nucleation and growth during tungsten (W) atomic layer deposition (ALD) on SiO 2 surfaces was examined using Auger electron spectroscopy (AES) techniques. Tungsten ALD was performed on a hydroxylated silica (SiO 2 ) surface using repeated exposures to disilane (Si 2 H 6 ) and tungsten hexafluoride (WF 6 ) in an ABAB... sequence at 573 K. The AES measurements revealed that W growth is slow during the first ~10 AB reaction cycles using ~10 5 Langmuir reactant exposures. Following this initial nucleation period, the tungsten film grew linearly at 2.5 9 per AB cycle. The W and Si AES signals dramatically oscillated in magnitude versus the sequential Si 2 H 6 and WF 6 exposures in the linear growth regime. Comparison of the experimental AES signals with predicted AES signals assuming different growth mechanisms determined that tungsten grows in a layer-by-layer fashion following the Frank-van der Merwe mechanism. Quantitative modeling indicated that electron backscattering effects must be included to describe the absolute experimental AES signals during W ALD. Simulations also revealed that the mechanism of tungsten nucleation during the first ~10 AB reactions cycles will affect the surface roughness of the tungsten films. More rapid nucleation of W ALD was achieved using a larger initial Si 2 H 6 exposure of >10 10 Langmuir, or by repeatedly probing the same location on the SiO 2 surface with the AES electron beam.