Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Dislocation morphologies in compositionally graded Si 1-x Ge x epilayers grown on (001) Si substrates at low temperatures were studied by a combination of experimental techniques sensitive to the plastic activity at different length scales. We demonstrate that strain relief in the thick metastable layers is provided by ordered dislocation configurations composed of narrow slip bands. These configurations are consistent with the dislocation morphologies predicted by the model of self-adjustment of misfit dislocations. It is shown that crystallographic slip of misfit dislocations in these layers can be used as a basis for a new and straightforward technique for the spatial patterning of semiconductor material on large areas at the nanometer length scale.