Photoluminescence was used as an in-situ method for following the electrodeposition of copper on p-type GaAs electrodes from a 0.5 M H 2 SO 4 solution containing Cu(II) sulphate. The method appeared to be very sensitive to copper coating and to be able to detect a copper amount of the monolayer range. Moreover, during anodic polarisation of the metallised electrode, photoluminescence measurements showed the complete dissolution of the copper layer. In-situ photoluminescence measurements were confirmed by ex-situ analyses at different stages of the electrochemical treatment of the GaAs electrode.La spectrometrie de photoluminescence est utilisee dans ce travail comme methode in situ pour suivre la formation sur une electrode de GaAs de type p d'un depot de cuivre par voie electrochimique, a partir d'une solution 0,5 M H 2 SO 4 contenant du sulfate de cuivre. La methode s'avere tres sensible au depot de cuivre et est capable de detecter une quantite de metal de l'ordre de la monocouche. En outre, au cours de la polarisation anodique d'une electrode metallisee, elle permet de conclure a la redissolution totale du depot de cuivre. Les resultats obtenus par les mesures in situ de photoluminescence ont pu etre confirmes par des analyses XPS ex situ.