Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Homoepitaxial diamond films with atomically flat surface were grown using the microwave plasma chemical vapor deposition method at a low CH 4 concentration of less than 0.05% in a CH 4 and H 2 mixed gas system. In Ib (001) diamond substrates having misorientation angles of 0.5 o , atomic force microscope image on the surface of film grown at 0.025% CH 4 concentration showed that the films had atomically flat surface with mean roughness of 0.04nm in area as large as 4x4mm 2 (the whole region of the substrate).