Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The gradually increased In-composition barriers were proposed to synthesize advantages of low polarization of InGaN barriers and high barrier height of GaN barriers. The reference structure with GaN barriers, the structure A with constant In-composition InGaN barriers and the structure B with gradually increased In-composition In x Ga 1−x N barriers were chosen. The light-emitting diodes were numerically studied. It is found that the structure B has the best performance. The output power is increased by 28% for structure B compared with structure A at 180mA. The improved performance is caused by the enhanced electron confinement and increased hole injection efficiency.