Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The annealing process of an amorphous silicon (a-Si) film has been studied by means of spectroscopic ellipsometry (SE). Measured SE spectra were analyzed using an empirical dielectric function (EDF) proposed in a previous paper and a refractive index function proposed by Forouhi and Bloomer (FB). We found several remarkable facts: (1) our EDF fits to measured spectra much better than FB; (2) the FB refractive index function does not satisfy Kramers-Kronig relations; (3) an adsorption layer should be taken into account to improve the fitting of SE spectra measured in air; (4) the thickness of a-Si deposited by r.f. glow discharge at 250°C decreases more than 10% by annealing at 550°C due to hydrogen evolution; (5) peak position and peak height of the dielectric function changes systematically with the annealing so that an analysis using the effective medium approximation (EMA) with a-Si and voids cannot explain these changes; (6) the EMA interface layer model cannot explain the optical behavior of a rough surface.