The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
Omówiono zagadnienia rozwoju małych firm zajmujących się zaawansowanymi technologiami elektronicznymi w Polsce. Na przykładzie firmy VIGO System S.A. pokazano możliwości skutecznego opanowania nisz w dziedzinie optoelektroniki na rynku światowym. Przedstawiono metody umacniania pozycji konkurencyjnej i wizerunku firmy na rynku.
Od 2003 r. w laboratorium VIGO/WAT prowadzono badania nad wzrostem heterostruktur Hg1-xCdxTe o niemal dowolnych profilach składu i poziomie domieszkowania, niezbędnych dla zaawansowanych przyrządów fotoelektrycznych. MOCVD w zastosowaniu do Hg1-xCdxTe jest jedną znajtrudniejszych technologii epitaksjalnych. Omówiono zagadnienia związane ze wzrostem i charakteryzacją warstw Hg1-xCdxTe w technologii...
Przedstawione badania skupione są na zagadnieniu epitaksji MOCVD warstw półprzewodników III-V z antymonem na podłożach GaSb. Materiały te znajdują obecnie zastosowanie w przyrządach optoelektronicznych, jednak technologia MOCVD w ich przypadku przynosi wiele wyzwań, nowych w porównaniu z bardzo dobrze już określoną technologią dla arsenków lub fosforków. W artykule zamieszczono głównie wyniki wzrostu...
Przedmiotem prezentowanych badań jest technologia epitaksji MOCVD na podłożach GaSb warstw GaSb oraz niektórych innych materiałów III-V zawierających antymon. Przeprowadzenie optymalizacji procesu epitaksjalnego oraz przygotowania podłoży pozwoliło pokonać podstawowe charakterystyczne problemy tej technologii. Zamieszczone dane analizy właściwości warstw: fotoluminescencji, rozpraszania rentgenowskiego,...
Zastosowanie technologii epitaksji MOCVD (Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy) w przypadku optoelektronicznych przyrządów półprzewodnikowych otrzymywanych ze związków antymonu napotyka na problem w postaci zanieczyszczenia węglem i tlenem warstw zawierających glin. W związku z powyższym opracowano skuteczną technologię MOCVD struktur przyrządów antymonkowych w przypadkach, gdy nie ma konieczności wprowadzania...
Przedmiotem pracy jest zastosowanie technologii epitaksji ze związków metaloorganicznych (MOCVD) do otrzymania laserów kaskadowych (QCL) na podłożach InP. Wykonano hetrostruktury półprzewodnikowe laserów zbudowane z supersieci InGaAs/InAIAs ze skompensowanymi naprężeniami. Lasery takie są najważniejszym rodzajem przyrządów QCL o emisji w przedziale 3-8 µm. Otrzymanie heterostruktur o zadanych wcześniej...
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.