The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
W pracy przedstawiono możliwości jakie daje zastosowanie węglika krzemu do wytwarzania dobrze znanych z technologii krzemowej diod Schottky'ego. Materiał ten pozwala na podniesienie temperatury i częstotliwości pracy oraz miniaturyzację przyrządów mocy. Zaprezentowane zostały sposoby podwyższenia napięcia przebicia diody oraz wyniki badań nad metodami zmniejszenia prądów zaporowych i warstwami pasywującymi,...
W pracy dokonano przeglądu, wytworzonych w skali laboratoryjnej, nowoczesnych struktur diod Schottky'ego z węglika krzemu. Pokazano różnorodność rozwiązań konstrukcyjnych i technologicznych, umożliwiających uzyskanie wysokich wartości napięć przebicia. Przedstawiono krótką charakterystykę każdej ze struktur, podając uzyskane wartości parametrów funkcjonalnych oraz charakterystyki prądowo-napieciowe.
Praca dotyczy wytwarzania warstw SiO2 i SiNxOy metodą termiczną na podłożach 4H-SiC. Na podstawie pomiaru wysokoczęstotliwościowej charakterystyki pojemnościowo-napięciowej (HF C-V) zostały wyliczone: napięcie płaskich pasm, ładunek efektywny, średnia gęstość stanów pułapkowych, domieszkowanie podłoża. Wartości otrzymanych parametrów wskazują na możliwość zastosowania badanych warstw jako dielektryka...
Za pomocą oprogramowania Silvaco Atlas, na podstawie dostępnych parametrów materiałowych, dokonano symulacji charakterystyk statycznych tranzystorów MOS na podłożu z dwóch heksagonalnych odmian węglika krzemu: 4H oraz 6H.
Artykuł omawia właściwości półprzewodników z szeroką przerwą energetyczną i wynikające z nich możliwości zastosowań w warunkach, w których wymagane są duże napięcia przebicia, gęstości prądu lub wysokie temperatury pracy. Właściwości azotku galu, węglika krzemu i diamentu porównane są z krzemem jako materiałem najszerzej stosowanym w elektronice. Omówione są także przykłady zastosowań tych materiałów...
Omówiono wykorzystanie węglika krzemu w nowoczesnej mikroelektronice. Właściwości tego materiału pozwalają na stosowanie go do wytwarzania nowoczesnych przyrządów półprzewodnikowych mocy. które ze względu na szeroką przerwę energetyczną SiC mogą pracować w wysokich temperaturach. Wysokie krytyczne natężenie pola przebicia pozwala na wykonywanie złączy wysokonapięciowych o napięciach przebicia przekraczających...
Monokrystaliczny węglik krzemu SiC jest doskonałym materiałem półprzewodnikowym do zastosowań przy budowie urządzeń elektronicznych wysokiej mocy ze względu na szeroką przerwę energetyczną dobrą przewodność cieplną oraz duże pole przebicia. Stosowany jest także na podłoża pod warstwy epitaksjalne GaN (niebieska optoelektronika). Podstawowym problemem w technologii otrzymywania monokryształów SiC są...
W odpowiedzi na ogłoszenie Projektu Zamawianego "Nowe technologie na bazie węglika krzemu i ich zastosowanie w elektronice wielkich częstotliwości, dużych mocy i wysokich temperatur" zgłoszono pakiet projektów badawczych, który składa się z czterech bloków, odpowiadających czterem zadaniom zawartym w ogłoszeniu. Artykuł zawiera przegląd 16 projektów zgłoszonych w zadaniu 2, które dotyczy...
W pracy przedstawiono genezę ogłoszenia konkursu na Projekt Badawczy Zamawiany dotyczący węglika krzemu i sformułowanie przez 19 jednostek badawczych całościowej oferty zawierającej 32 projekty cząstkowe. Omówiono założenia i główne cele sformułowane w tej ofercie oraz planowane wyniki, jakie zamierzają osiągnąć jej autorzy. Praca stanowi wstęp do następnych trzech artykułów opisujących proponowane...
Opisano konstrukcję i technologię pierwszych polskich detektorów ultrafioletu wykonanych na monokrystalicznym węgliku krzemu. Kryształy SiC wyhodowano we własnym laboratorium metodą sublimacyjną. Detektory są diodami Schottky'ego z półprzeźroczystą metalizacją bariery. Diody wykazują bardzo dobre charakterystyki I(V) oraz czułość prądową w zakresie od 0,06 A/W do 0,08 A/W.
Przedstawiono w postaci zadań przebieg oceny właściwości statycznych, dynamicznych, termicznych i szumowych komercyjnych elementów i przyrządów z SiC. Bardziej szczegółowo opisano pomiary parametrów i charakterystyk termicznych. Określono, że wynikiem prac będą stanowiska laboratoryjne do badań właściwości statycznych, dynamicznych, termicznych i szumowych komercyjnych wytworzonych w ramach projektu...
Omówiono syntezę struktury układu regulacji pieca do monokrystalizacji SiC z dwusekcyjnym grzejnikiem grafitowym. Opisano etap modelowania matematycznego rozkładów pól temperatury w projektowanym piecu. W celu opracowania struktury układu regulacji posłużono się uproszczonym modelem pieca o stałych skupionych 6. rzędu. W wyniku analizy macierzy sterowania optymalnego dla tego modelu dokonano redukcji...
Praca przedstawia wyniki badań kryształu 6H-SiC zawierającego inkluzję politypu 15R-SiC zaimplantowanego jonami Al⁺. Zastosowano techniki analizy optycznej: elipsometrii spektroskopowej oraz mikro-ramanowskiego rozpraszania światła. Wielokrotną implantację wykonano przy użyciu implantatora UNIMAS ze zmodyfikowanym źródłem jonów przy pięciu różnych energiach i dawkach. Temperatura próbki w czasie implantacji...
W pracy zaprezentowano możliwości symulacji charakterystyk elektrycznych przyrządów wykonanych na podłożach z węglika krzemu na przykładzie diod Schottky'ego i tranzystorów MOSFET i JFET. Wszystkie przyrządy modelowane były przy użyciu oprogramowania Atlas firmy Silvaco [1]. W przypadku diod Schottky'ego przeprowadzono analizę i optymalizacje różnych wariantów technologii pod kątem wytworzenia diody...
W pracy przedstawiono główne rezultaty badań nad wzrostem epitaksjalnym warstw SiC metodą CVD. Opracowano technologię przygotowania powierzchni podłożowych płytek komercyjnych SiC do wzrostu epitaksjalnego poprzez trawienie in situ w mieszance wodoru i propanu. Zbadano i zoptymalizowano warunki wzrostu niedomieszkowanych warstw SiC metodą CVD o grubości do 10 mikrometrów. Opracowano technologię domieszkowania...
Materiały półprzewodnikowe z szeroką przerwą zabronioną posiadają wiele zalet fizycznych, które stwarzają nowe możliwości ich zastosowania w elektronice wysokotemperaturowej i wysokomocowej. Z pośród półprzewodnikowych materiałów szerokopasmowych węglik krzemu stał się najbardziej obiecującym i odpowiednim materiałem dla przyrządów mocy pracujących w wysokich temperaturach. Węglik krzemu jest materiałem...
W ramach prowadzonych badań wykonane zostały diody Schottky'ego Ir/4H-SiC, IrO2/4H-SiC, Ni/4H-SiC. W artykule opisany został wpływ różnych procesów przygotowania powierzchni podłoża z węglika krzemu (4H-SiC) na parametry elektryczne uzyskanych diod. Sprawdzono skuteczność stosowanej powszechnie w technologii krzemowej procedury RCA, wpływ kąpieli w buforowym roztworze kwasu fluorowodorowego (HFbuff...
Na wstępie artykuł omawia przebieg procesu monokrystalizacji węglika krzemu. Następnie prezentuje budowę stanowiska do tego celu oraz jego najważniejsze bloki składowe. Układ grzejny jest wykonany jako dwusekcyjny pionowy rurowy rezystancyjny piec grafitowy, pracujący do temperatury 2300 C i zasilany ze źródeł prądu stałego o mocy 60 kW. Piec jest umieszczony w komorze próżniowej. Ze względu na wymagania...
W pracy opisano wytwarzanie i charakteryzację diod p-i-n wytwarzanych w strukturach epitaksjalnych 4H-SiC. W celu uzyskania warstw typu p⁺ wykonano 4-krotną implantację jonami Al przy całkowitej dawce 7,1 · 10¹⁴ cm⁻2² dla uzyskania prostokątnego rozkładu głębokościowego. Implantację prowadzono przy temperaturze tarczy 500°C z użyciem implanatora jonów UNIMAS wyposażonego w plazmowe źródło jonów naszej...
Węglik krzemu (SiC) stał się obiektem szczególnego zainteresowania głównie tam, gdzie wymaganiom wysokotemperaturowym nie może sprostać krzem [1]. Półprzewodnikowe przyrządy mocy oparte na węgliku krzemu stają się handlowo dostępne do zastosowań wysokomocowych i wysokotemperaturowych, ale nie przekraczających 250 C. Niezawodność przyrządów z SiC jest ograniczona z jednej strony stabilnością termiczną...
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.