The Infona portal uses cookies, i.e. strings of text saved by a browser on the user's device. The portal can access those files and use them to remember the user's data, such as their chosen settings (screen view, interface language, etc.), or their login data. By using the Infona portal the user accepts automatic saving and using this information for portal operation purposes. More information on the subject can be found in the Privacy Policy and Terms of Service. By closing this window the user confirms that they have read the information on cookie usage, and they accept the privacy policy and the way cookies are used by the portal. You can change the cookie settings in your browser.
Dokonano przeglądu nowych problemów, jakie wiążą się z energoelektroniką coraz intensywniej rozwijającą się w skali globalnej. Problemy te dotyczą przyrządów półprzewodnikowych, układów przekształtnikowych i zastosowań energoelektroniki. Omówiono nowe metody sterowania wdrażane w układach przekształtnikowych. Szczególną uwagę poświęcono kompatybilności elektromagnetycznej (EMC) oraz zagadnieniom bezpieczeństwa...
Opracowanie dotyczy wpływu wybranych czynników na rezystancję i przejściową impedancję termiczną przyrządów półprzewodnikowych. Przedstawiono przykładowe wyniki pomiarów i omówiono wpływ na parametry termiczne przyrządów półprzewodnikowych, takich czynników jak: punkt pracy badanego przyrządu, długość jego wyprowadzeń, wielkość pola lutowniczego i radiatora, temperatura otoczenia, zastosowane warstwy...
Porównano elektryczne i pirometryczne metody pomiaru parametrów termicznych elementów półprzewodnikowych o różnych wielkościach struktur półprzewodnikowych, przy różnych warunkach ich chłodzenia i zasilania. Pokazano, że usunięcie części obudowy elementu oraz poczernienie jego struktury, wymagane przy stosowaniu metod pirometrycznych, w istotny sposób zmieniają wartości parametrów termicznych. Dla...
Przedstawiono historię rozwoju pierwszych polskich przyrządów półprzewodnikowych opracowanych przez autora i jego zespół. Dotyczy to głównie diod prostowniczych, diod Zenera, fotodiod oraz różnych przyrządów mikrofalowych (waraktorów, diod lawinowych, diod PIN, diod Gunna, diod Schottky'ego, tranzystorów i podzespołów), wytwarzanych głównie w Pionie Mikrofal Instytutu Technologii Elektronowej.
Przeanalizowano zakres słuszności dwóch uproszczeń stosowanych w literaturze przy obliczaniu wartości temperatury wnętrza elementów półprzewodnikowych sterowanych sygnałem w.cz. Pierwsze uproszczenie polega na zastąpieniu prostokątnego przebiegu mocy wydzielanej w elemencie pracującym impulsowo jego wartością średnią, natomiast drugie dotyczy stosowania mocy całkowitej zamiast mocy czynnej w modelu...
Monokrystaliczny węglik krzemu SiC jest doskonałym materiałem półprzewodnikowym do zastosowań przy budowie urządzeń elektronicznych wysokiej mocy ze względu na szeroką przerwę energetyczną dobrą przewodność cieplną oraz duże pole przebicia. Stosowany jest także na podłoża pod warstwy epitaksjalne GaN (niebieska optoelektronika). Podstawowym problemem w technologii otrzymywania monokryształów SiC są...
W pracy przedstawiono model termiczny azotkowej diody laserowej oraz analizę transportu ciepła zarówno przez jej warstwy jak i wykorzystane elementy montażowe. Modelowany laser to przyrząd o emisji krawędziowej z falowodem grzbietowym o szerokości 20 µm. Laser zaprojektowany jest do pracy z falą ciągłą 411 nm w temperaturze pokojowej przy niskiej gęstości prądu progowego 4,2 kA/cm2[1]. Obliczenia...
W pracy przedstawiono wyniki modelu termiczno-elektrycznego lasera kaskadowego wykonanego w technologii arsenkowej. Szczególny nacisk położono na zbadanie wpływu montażu lasera na jego własności cieplne. Rozpatrywano wpływ takich elementów jak: rozmiary przekładki diamentowej, grubość warstwy lutu, odległość między wytrawionymi kanałami definiującymi obszar czynny, stopień wypełnienia kanałów lutem...
Kontynuując omawianie zagadnień związanych z elektroniką w samochodach, w niniejszej części pracy przedstawiono przegląd magistrali (szyn) komunikacyjnych wykorzystywanych obecnie w instalacjach elektrycznych pojazdów samochodowych oraz rodzajów stosowanych przyrządów półprzewodnikowych i ich mechanizmów uszkodzeń. Uwagę zwrócono na zagadnienia niezawodności układów scalonych, od których w dużym stopniu...
W pracy omówiono wiele zagadnień dotyczących niezawodności podzespołów i modułów elektronicznych stosowanych w pojazdach samochodowych. Dużą uwagę zwrócono na niezawodność układów scalonych, od których w znacznym stopniu zależy jakość, niezawodność i właściwości funkcjonalne stosowanych modułów elektronicznych. Podkreślono konieczność kompleksowego podejścia do zagadnień niezawodności przyrządów półprzewodnikowych...
W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące możliwości wytworzenia laserów złączowych emitujących w zakresie 2...3,5 μm powstałych na bazie technologii fosforkowej. Obszary czynne tych laserów stanowią tzw. rozcieńczone azotki (w szczególności związek GaInNAs) dopasowane sieciowo do podłoża InP. Jak pokazują wyniki wstępnych badań tak wykonane emitery światła spójnego mogą stanowić poważną alternatywę...
W artykule omówiono proces technologiczny wytwarzania diody elektroluminescencyjnej Al(In)GaN/GaN o emisji promieniowania w zakresie 380…400 nm z maksimum dla 384 nm oraz dostosowanych do niej kryształów fotonicznych. Zastosowanie kryształu fotonicznego w formie współśrodkowych pierścieni o stałej sieci 3 μm i wypełnieniu 60% wytrawionych w strukturze DEL pozwoliło na ponad dwukrotny wzrost mocy promieniowania,...
W niniejszej pracy zaprezentowano samouzgodniony elektryczno-termiczno-optyczno-wzmocnieniowy model lasera o emisji krawędziowej emitującego promieniowanie ultrafioletowe. Model ten pozwala głębiej zrozumieć nie tylko zjawiska fizyczne zachodzące w wykorzystanej do analizy numerycznej strukturze laserowej, ale także wzajemne powiązania między tymi zjawiskami. Ponadto może on zostać zastosowany do...
W pracy przedstawiono wyniki modelowania zjawisk elektryczno-cieplnych w diodzie elektroluminescencyjnej emitującej promieniowanie w zakresie bliskiego ultrafioletu i wykonanej na bazie azotku galu. W szczególności skupiono się na sprawdzeniu wpływu na pracę modelowanego przyrządu takich parametrów jak: szerokość kontaktów, położenie kontaktów, szerokość mesy, głębokość trawienia mesy, grubość podłoża...
W pracy przestawiono model fizyczny tranzystora tunelowego polowego (TFET). Model bazuje na rozwiązaniu równania Poissona oraz równań ciągłości dla prądu elektronów i dziur w dwóch wymiarach. Tunelowanie zostało uwzględnione poprzez nielokalny model generacji międzypasmowej. Omówiono zasadę działania tranzystora TFET oraz przedstawiono wyniki obliczeń. Wygenerowano przykładowe charakterystyki wyjściowe...
W pracy przedstawiono wyniki symulacji komputerowej przeprowadzonej dla laserów półprzewodnikowych o emisji powierzchniowej z pionowym rezonatorem z obszarem czynnym GaInAsSb/GaSb emitujących promieniowanie o długości fali z zakresu 2,6–2,8 μm otrzymane za pomocą samouzgodnionego trójwymiarowego modelu obejmującego zjawiska elektryczne, termiczne, rekombinacyjne i optyczne. Przeprowadzone obliczenia...
W artykule przedstawiono syntetyczne informacje na temat bieżącej działalności połączonych oddziałów ED oraz EP Polskiej Sekcji IEEE. Uwagę skupiono na wydarzeniach cyklicznych organizowanych przez te oddziały, m.in. międzynarodowej konferencji MIXDES oraz mini kolokwiów z zakresu mikroelektroniki. Przedstawiono też sylwetki wybitnych naukowców, którzy byli lub są wieloletnimi członkami tych oddziałów...
Set the date range to filter the displayed results. You can set a starting date, ending date or both. You can enter the dates manually or choose them from the calendar.