The processes of buried insulating layers formation in silicon with substoichiometric implantation of nitrogen ions and device insulation in III-V semiconductors are described in this paper. The device insulation in III-V semiconductors can be achieved as the result of modification of crystal properties around of the device structures by polyenergetic or high-energy ion implantation.
W pracy opisany jest proces formowania podkładowych warstw izolacyjnych w krzemie na skutek substechiometrycznej implantacji jonów azotu oraz izolacji struktur w półprzewodnikach III-V. Izolację struktur półprzewodnikowych można wytworzyć w rezultacie modyfikacji własności krystalicznych ich otoczenia poprzez wysokoenergetyczną i zmienną w pewnym zakresie energii implantację jonową.