Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Plasma process was used widely to manufacture semiconductor device due to low temperature and good performance. In particular, capacitively coupled plasma (CCP) and inductively coupled plasma (ICP) system were commonly used for dry etch, deposition and plasma treatment process in semiconductor device. In this paper, the fluorine plasma treatment process on high-k dielectric HfO2 was studied for improvement...
We have investigated the DC and RF characteristics of Si/SiO2(~4mum)/Ti/Pt-HfO2-Al metal-insulator-metal (MIM) devices. We demonstrate in this work that the MIM capacitors with high-k: HfO2 films result in the better DC and RF properties than those obtained using either SiO2 or Si3N4. Both high capacitance density and small frequency-dependent capacitance reduction were observed in the MIM capacitors...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.