Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The influence of interfacial reactions on the formation of ohmic contacts to GaAs, ZnSe and GaN based semiconductor layers is reviewed. In the case of semiconductors whose Fermi levels are not pinned (ZnSe and GaN), disruption of interfacial contamination layers is critical during the interfacial reaction step. In these cases, interfacial phase formation appears to be detrimental to the contact properties...
The influence of interfacial reactions on the formation of ohmic contacts to GaAs, ZnSe and GaN based semiconductor layers is reviewed. In the case of semiconductors whose Fermi levels are not pinned (ZnSe and GaN), disruption of interfacial contamination layers is critical during the interfacial reaction step. In these cases, interfacial phase formation appears to be detrimental to the contact properties...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.