Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
For the first time, an integrated thermal characterization scheme that generates a full two-dimensional temperature map of GaN lateral devices has been developed. Through calibration and integration of micro-Raman thermometry, thermoreflectance thermal imaging, and infrared thermography, the accuracy of these techniques has been demonstrated to significantly improve, in addition to the complete thermal...
Self-heating in AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMT) degrades device performance and reliability. Under nominal operating conditions, a so-called hot spot develops near the drain-side edge of the gate. The magnitude of the peak temperature at this local hot spot directly impacts device lifetime. Especially, such self-heating effects are aggravated in AlGaN/GaN HEMTs employing low cost...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.