Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Electrical, electro-optical, mechanical and microstructural characterizations explain why the leakage currents in advanced Cu/ultra-low K interconnects can change from bulk (3D) to mostly interfacial (2D) above 150degC. A physical model consistent with all these results is proposed
The dielectric properties of porous ULK/Cu interconnects designed for sub 65nm nodes are degraded at high bias-stress. The resulting increase of dielectric constant and defect density can be estimated from the Poole-Frenkel modeling of the leakage currents above 1MV/cm. More generally, the porous SiCOH dielectric materials showing this transport mechanism appear to be inherently less reliable when...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.