Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
High-frequency characteristics of Lg = 60 nm In0.7Ga0.3As MOS-high-electron-mobility transistor (HEMTs) with a 3 nm aluminium oxide grown by atomic-layer-deposition is reported. Fabricated In0.7Ga0.3As MOS-HEMTs with Lg = 60 nm exhibit subthreshold-swing (SS) = 89 mV/dec., drain-induced-barrier-lowering = 98 mV/V, gm_max = 1.1 mS/μm, fT = 187 GHz and fmax = 202 GHz at VDS = 0.5 V. The high-frequency...
An InAlAs/InGaAs HEMT with an InAs-rich barrier spacer (In0.52Al0.48As) to reduce the parasitic resistance is reported. Devices were obtained with a source resistance of 170 Ω-μm. A 40 nm gate length In0.7Ga0.3As HEMT with Lside=100 nm and tins=10 nm shows excellent transconductance and subthreshold characteristics including gm=1.6 mS/μm, DIBL=122 mV/V and S=80 mV/dec at VDS=0.5 V. In addition, this...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.