Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this work, high‐voltage photoconductive semiconductor switches (PCSSs) with inter‐digitated contact electrodes are directly fabricated on semi‐insultating HVPE GaN:Fe template. The PCSS exhibits a cutoff wavelength of 365 nm and a dark resistivity of ∼1010 Ω cm. A maximum blocking voltage of more than 1100 V is obtained, corresponding to a breakdown electric field higher than 1.57 MV/cm for the...
GaN‐based metal‐semiconductor‐metal ultraviolet photodetectors (PDs) are fabricated on bulk GaN substrate. The dislocation density of the homoepitaxial layer characterized by cathodoluminescence mapping technique is ∼5×106 cm‐2. The PDs exhibit ultra‐low dark‐current of <5 pA at room temperature under 15 V bias, with an ultraviolet/visible rejection ratios up to 5 orders of magnitude. Even at a...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.