Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Carbon-iron composite films with different thicknesses (50, 100 and 150 nm) were deposited by DC magnetron sputtering method using a composite target (Fe: 4 at%, C: 96 at%). The resistive switching behaviors of Pt/Al/a-C:Fe/Au/Ti structures with different a-C:Fe film thicknesses are investigated. Abnormal bipolar resistive switching characteristics were observed in all Pt/Al/a-C:Fe/Au/Ti memory cells...
In this work, tantalum nitride (TaN) was chosen as the wet etch stop layer (WESL) for its application in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology. TaN WESL prevents the attacking of titanium nitride (TiN)/hafnium dioxide (HfO 2 ) stack covering n-channel MOS (nMOS) regions from selectively stripping work function metals of p-channel MOS (pMOS) gate, i.e. TiN & titanium (Ti), by ammonia...
Amorphous silicon (a-Si:H) thin film solar cells were prepared in a single chamber large area plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system. A purging process using silane (SiH 4 ) gas was developed to remove the residual contaminations in the reactor after a nitrogen trifluoride (NF 3 ) plasma dry cleaning process. Such a purging treatment leads to a clear improvement in...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.