Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents the first-principles study of an ultra-thin HfO2 on SiGe/Si substrate. The strong stress in hafnia layer caused by lattice mismatch significantly deforms the structure in this layer, and alters the valence-band offset between HfO2 and SiGe. These phenomena should significantly affect the properties of CMOS devices associated with an ultra-thin HfO2 dielectric film.
A series of dilute InNSb films with different N composition were prepared at various growth conditions by RF-MBE. The film samples were characterized by Atom force microscopy (AFM), high resolution X-ray diffraction (HRXRD) and room temperature Raman scattering spectroscopy, the measurements indicated that the InNSb films are of high crystalline quality and most of the N atoms are at the substituted...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.