Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Bi-stable resistive switching phenomena controlled by external voltages has drawn much attention for high-density nonvolatile memory devices, the resistive memory materials ranging from organic to inorganic materials, with either metallic or conductive oxide electrodes. These resistive switching phenomena have been reported in many simple transition metal oxide films such as CuOx, TiO2, NiO or ZrO...
Oxide Resistive Random Access Memories (OxRRAM) are discussed for future high density non volatile memory chips. NiO and other simple binary transition metal oxides (such as TiO2, HfO2 or ZrO2) have recently attracted much attention. In most cases, polycrystalline oxide films are deposited by reactive sputtering on conductive substrates to form bi-stable Metal/Resistive oxide/Metal (MRM) structures...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.