Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this study, the transport property of low energy ion beam (500 eV Ne+) is evaluated under space-charge compensated situation by means of supplying low energy electrons from the Si:C-FEA with decelerative electrodes.
The authors have proposed space charge compensation of a low energy ion beam with silicon field emitter arrays to solve the problem of divergence of low energy ion beam for next generation of ion-implantation system. It is required for the electron sources that they do not contain metal to prevent a wafer from contamination. Therefore, as electron sources, a silicon field emitter arrays treated with...
Field emitter arrays made of silicon (Si-FEAs) is a possible candidate for the space charge compensation device during ion implantation process for semiconductor devices, because they are free from metal contamination and have less out-gas. When operating in the ion implanter, Si-FEAs suffer from the pressure increase due to out-gassing from resist materials on a silicon wafer. We examined electron...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.