Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We characterize self-pulsing in erbium-doped microtoroidal lasers fabricated from solgel silica layer deposited on a silicon wafer. Effects of pump and taper-cavity coupling on peak power, period and width of laser pulses are investigated experimentally.
We report measurement of the fundamental component of frequency noise in a micro-Raman laser fabricated on a silicon chip. A frequency noise spectral component that is equivalent to a Schawlow-Townes linewidth of 3-Hz is measured.
A compact laser source on a silicon chip with Shawlow-Townes linewidth (i.e., fundamental, quantum limited) down to a few Hertz is demonstrated in this work. The fundamental linewidth is observed to decrease with inverse optical power.
Ultra-high-Q microresonators are fabricated on silicon chips by the solgel technique. Using wafer-based processing and selective reflow, we create toroid-shaped Er-doped microlasers directly from Er-doped solgel layers and Raman microlasers from undoped silica solgel layers.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.