Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An asymmetric Schottky and P-N junction source/drain MOSFET contains a conventional P-N junction and a hybrid junction for the source and drain or vice versa. Owing to the asymmetric source/drain structure, this device could be used in two different situations: Schottky-junction source MOSFETs and Schottky-junction drain MOSFETs. Performances of MOSFETs featuring a gate length of 100 nm with Schottky-junction...
In this paper, DC and AC performance of junctionless MOSFETs are extensively examined. A comparison is made between double-gate junctionless MOSFETs and conventional inversion-mode MOSFETs with an emphasis on the variability in performance. Despite clear benefits by eliminating junctions and related junction variabilities, junctionless MOSFETs are found to require double- or multi-gate in order to...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.