Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Recently, experimental Germanium CMOS devices and circuit are reported for advanced technology nodes for the first time. In this paper, we have modeled Germanium On Insulator (GeOI) device with industry standard compact model for independent double gate MOSFET (BSIM-IMG) with updated mobility model. It is shown that BSIM-IMG with updated mobility model accurately captures static characteristics for...
The formulation of effective mobility for fully depleted silicon-on-insulator (FDSOI) transistors is a very challenging task. As vertical electric field (Eeff) changes it's sign from positive to negative according to the front and back channel dominance which results in non-unique relationship between Eeff and carrier distribution. This is the first time, when a predictive mobility model for wide...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.