Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A novel DRAM cell based on floating gate (FG) concept is investigated. Compared to the conventional two-transistor FG DRAM cells, this new memory cell has a much simpler configuration with only one transistor. Besides, its write speed is improved by introducing an integrated gated diode and state ldquo1rdquo can be self-refreshable. In this paper, the device configuration, the DRAM application feasibility,...
A novel capacitorless DRAM cell with enhanced retention performance is investigated. The write / read mechanisms, speed, retention performance are studied with numerical simulations. Further, the manufacturing method of this device is briefly discussed.
This letter proposes a novel 4.5F2 capacitorless dynamic random access memory cell with a floating gate (FG) connected to drain via a gated p-n junction diode. The FG in the proposed memory device is for charge storage and can electrically be charged or discharged by current flowing through a gated p-n junction diode.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.