Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We present contact-free THz near-field measurements at large-area graphene covered by an ion gel top-gate. In dependence of the gate-voltage, we map the THz near-field transmission amplitude and the resulting sheet resistance distribution across the graphene layer. High-resolution access to the local charge carrier properties of the buried graphene enables the visualization of inhomogeneity and defects...
We present a new generation of photoconductive (PC) terahertz (THz) near-field probes based on freestanding Beryllium-doped low-temperature-grown InGaAs/InAlAs cantilevers. The PC probes are compatible to optical gating with a femtosecond laser having a center wavelength of 1550 nm. Therefore, they are well suited for a cost-efficient direct integration with fiber-coupled THz time-domain spectroscopy...
We perform THz near-field measurements on bowtie antennas made of doped Si and gold. The measurements show a similar local field enhancement for the different materials. These measurements constitute the first demonstration of plasmonic near-field enhancement using semiconductors at THz frequencies. Semiconductors offer the possibility of ultrafast optical switching of plasmonic resonances (on a ps...
Microring based silicon depletion modulators with high extinction ratios (>25dB) are used for high frequency modulation and as resonant photodetectors at 1340nm (O-band). Photocurrent and power enhancement are investigated for mircorings with different Q-factors.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.