Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We demonstrated a GaN-based p-i-n photodiode by inserting a thin low-temperature-grown-GaN layer between p-type Al0.2Ga0.8N window and intrinsic GaN layer. As compared with control device, our demonstrated one can achieve 3 fold bandwidth-efficiency-products improvement.
We demonstrate a high-performance heterojunction phototransistor (HPT): separate absorption-charge multiplication HPT. The incorporation of an In0.52Al0.48 As-based multiplication layer in the In0.53 Ga0.47As-based collector layer of our HPT allows for a great shortening of the trapping time ( ~ ns to ~ 30 ps) of electrons at the base-emitter junction under near avalanche operation, without sacrificing...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.