Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
An InGaN-based light-emitting diode (LED) with an inverted cone-shaped pillar structure was fabricated through a plasma dry etching process and a photoelectrochemical (PEC) process. The undercut structure was fabricated through a bandgap-selective PEC etching process that occurred at the InGaN active layer. Then, the inverted cone-shaped pillar structure was formed through a bottom-up crystallographic...
The high efficiency InGaN-based light emitting diodes with an inclined-undercut mesa structures are fabricated through photoelectrochemical selective oxidation process at p-n interface and following crystallographic wet etching in molten KOH solution.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.