Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The feasibility of preparation of nanowire on glass favors the realization of large area devices, which makes nanowire field emitter arrays (FEAs) good candidate for large-area vacuum microelectronics applications. In this study, a coaxial gated ZnO nanowire FEAs was fabricated. Effective emission current modulation by the gate voltage was achieved and the addressing capability was demonstrated.
Addressable field emitter arrays (FEAs) have important applications in vacuum electronic devices. However, it is important to integrate nanowire emitters into a gated structure without influencing the device structure and maintain the excellent field emission properties of nanowire emitters in the FEAs after the fabrication process. In this study, gate-structure ZnO nanowire FEAs were fabricated by...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.