Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The diode-end-pumped Nd:CaYAlO4 mode locked laser with a semiconductor saturable absorbing mirror is demonstrated. Using an X-shaped cavity, a stable CW mode locking was achieved. The mode-locked pulses were as short as 5.58 ps with a repetition rate of ~94 MHz at 1079.5 nm. With a 6 W laser diode pumping, a 720 mW mode-locked laser was obtained with a slope efficiency of 22.1%.
The single phase of Y2O3 was observed in (Eu0.05Y0.85La0.10)2O3 phosphors. The crystal size and luminescence intensity increase with the increase of calcination temperature. The maximum peaks of excitation and emission are at 261 nm and 613 nm.
We report both continuous-wave and passively mode-locked laser actions in a Yb3+-doped gadolinium yttrium oxyorthosilicate Yb:GdYSiO5 (Yb:GYSO) crystal. Continuous-wave (CW) laser operations were compared under different pump conditions with high-power diodes of different wavelengths and fiber cores. CW mode-locking was obtained with a semiconductor saturable absorber mirror.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.