Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Metallic carbon nanotubes (CNTs) create source-drain shorts in Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNFETs) resulting in excessive leakage (Ion/Ioff < 5) and highly degraded noise margins. A new technique, VLSI-compatible Metallic-CNT Removal (VMR), overcomes metallic CNT challenges by combining layout design with CNFET processing. VMR produces CNFET circuits with Ion/Ioff in the range of...
Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNFETs), consisting of semiconducting single-walled Carbon Nanotubes (CNTs), show great promise as extensions to silicon CMOS and in large-area electronics. While there has been significant progress at a single-device level, a major gap exists between such results and their transformation into VLSI CNFET technologies. Major CNFET technology challenges include...
Carbon nanotube field-effect transistors (CNFETs) show big promise as extensions to silicon-CMOS because: 1) Ideal CNFETs can provide significant energy and performance benefits over silicon-CMOS, and 2) CNFET processing is compatible with existing silicon-CMOS processing. However, future gigascale systems cannot rely solely on existing chemical synthesis for guaranteed ideal devices. VLSI-scale logic...
We demonstrate carbon nanotube field effect transistors (CNFETs) using asymmetrically-correlated carbon nanotubes (ACCNT, pronounced ldquoaccentrdquo), the first demonstration of a VLSI-compatible metallic-CNT-tolerant design methodology. ACCNT CNFETs take advantage of the asymmetric correlation of CNFETs fabricated on aligned carbon nanotubes to achieve both high Ion/Ioff (up to 5 times 104) and...
Metallic carbon nanotubes (CNTs) create source-drain shorts in carbon nanotube field effect transistors (CNFETs), causing excessive leakage, degraded noise margin and delay variation. There is no known CNT growth technique that guarantees 0% metallic CNTs. Therefore, metallic CNT removal techniques are necessary. Unfortunately, such removal techniques alone are imperfect and insufficient. This paper...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.