Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The optical gain characteristics of AlN-delta-GaN quantum well are investigated for mid-ultraviolet (UV) lasers. The ultra-thin delta-GaN layer is inserted into AlN quantum well (QW) active region with AlN barrier layers. Large TE-polarized optical gain is achieved for AlN-delta-GaN QW structure at 253 nm. The peak emission wavelength can be adjusted by tuning the delta-GaN thickness while maintaining...
The use of ultra-thin GaN delta-layer in high Al-content AlGaN quantum wells leads to the strong valence subbands rearrangement, which in turn results in high TE-polarized optical gain at emission wavelength ∼250–300 nm.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.