Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Various amounts of Nb2O5 in the (Na0.5K0.5) NbO3 (NKN) ceramic were replaced by V2O5 to decrease its sintering temperature to below 950°C. A small V2O5 content resulted in a dense microstructure with an increased grain size for the specimen sintered at 900°C due to the presence of a liquid phase. When V2O5 was added to the NKN ceramics, their orthorhombic-to-tetragonal transition temperature increased...
The device characteristics of the carbon nanotube (CNT) vacuum field emission (VFE) differential amplifier (diff-amp) is improved. The circuit-level characterization of the device was performed. SEM was used study the rectangular and circular arrays of the CNT triode array on the single chip VFE diff-amp
The effect of thermal annealing on the field emission properties of double-walled carbon nanotubes (DWCNT) grown by chemical vapour deposition is studied. The properties of the DWCNTs were examined using SEM, TEM, Raman and TGA analysis. It was found that high-temperature annealing enhances the field emission performance of DWCNTs
A lateral carbon nanotube (CNT) field emission device with a metallic anode is fabricated through a dual-mask microfabrication process complemented with a two-step microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition. SEM was employed to characterize the structure of the fabricated device
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.