Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A novel resistive memory with the TiN/Ti/HfOx/TiN stack is proposed and fully integrated with 0.18 μm CMOS technology. The excellent memory performances such as low operation current (down to 25 μA), low operation voltage (<;1.5 V), high ON/OFF resistance ratio (above 100), and fast switching speed (10 ns) have been demonstrated for this ReRAM. Moreover, the device exhibits excellent scalability...
Developments of ultra fine pitch and high density solder microbumps for advanced 3D stacking technologies are discussed in this paper. CuSn solder microbumps with 25 ??m in pitch are fabricated at wafer level by electroplating method and the total thicknesses of the platted Cu and Sn are 10 ??m. After plating, the micro bumps on the Si chip are reflowed at 265??C and the variation of bump height measured...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.