Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
With the onset of the era of big data, memristors have been extensively studied for applications in nonvolatile neuromorphic computing due to their fast switching speed and low switching power ability and the complementary metal–oxide–semiconductor (CMOS) compatibility. In particular, their adjustable cutoff frequency for filtering applications is a significant advantage. However, for circuit applications,...
Two‐dimensional (2D) materials have attracted extensive research interest in academia due to their excellent electrochemical properties and broad application prospects. Among them, 2D transition metal carbides (Ti3C2Tx) show semiconductor characteristics and are studied widely. However, there are few academic reports on the use of 2D MXene materials as memristors. In this work, reported is a memristor...
Memristors with nonvolatile memory characteristics have been expected to open a new era for neuromorphic computing and digital logic. However, existing memristor devices based on oxygen vacancy or metal‐ion conductive filament mechanisms generally have large operating currents, which are difficult to meet low‐power consumption requirements. Therefore, it is very necessary to develop new materials...
Transient memristors are prospective candidates for both secure memory systems and biointegrated electronics, which are capable to physically disappear at a programmed time with a triggered operation. However, the sneak current issue has been a considerable obstacle to achieve high‐density transient crossbar array of memristors. To solve this problem, it is necessary to develop a transient switch...
In article number 1800945, Xiaohua Ma, Yue Hao, and co‐workers achieve super‐large storage capacity of 107 Gb by integrating transient threshold switching devices with dissolvable memristors on flexible substrate. This transient system is designed to physically disappear when met with aqueous solutions or biofluids for a certain amount of time after completing the specific function, which possesses...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.