Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Temperature-dependent characteristics of high electron mobility transistors (HEMTs) with sulfur and SiNx passivations are comprehensively studied and demonstrated. Experimentally, for the studied device with formal passivations, better DC and microwave characteristics are obtained over wide operating temperature range. In particular, as compared with the device only with sulfur passivation, the slightly...
Temperature-dependent dc characteristics and RF performances of InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistors with sulfur treatment are systematically studied. The base-surface-recombination current, specific contact resistance, and sheet resistance of the studied devices can be effectively reduced by sulfur treatment. Practically, long-time sulfur treatment is not appropriate. In this paper, the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.