Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We investigated the influence of extremely high doping concentrations on the sheet resistance of ion implants annealed by FLA. As the implant depth was ultra-shallow and the amount of dopant atoms high, the concentration of dopant near the surface was exceedingly high, above the solid solubility limit, resulting in high Rs. The cause of this is mainly due to the formation of clusters, which was confirmed...
We have developed a device integration scheme for embedded silicon carbon (Si:C) SD structures induced by the solid phase epitaxy (SPE) technique. Our integration scheme comprises a combination of three key processes: carbon ion implantation (I/I) with Ge pre-amorphization implantation (PAI), sRTA and LSA. The guideline of our scheme is as follows. First, carbon I/I with Ge PAI plays large roll in...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.