Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
The interface between III–V and metal‐oxide‐semiconductor materials plays a central role in the operation of high‐speed electronic devices, such as transistors and light‐emitting diodes. The high‐speed property gives the light‐emitting diodes a high response speed and low dark current, and they are widely used in communications, infrared remote sensing, optical detection, and other fields. The rational...
The defect‐driven interfacial electron structure of the Ti/ZrO2/Al2O3/InGaAs system is probed and manipulated by Xing Wu, Litao Sun, Kinleong Pey, and co‐workers in article number 1703025 using a specifically designed in situ transmission electron microscopy experimental method. Interfacial defects induced by missing oxygen atoms are found to be the main reason for the device failure. This paves the...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.