Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
This paper presents an inductorless SiGe HBT low noise amplifier (LNA) using JAZZ 0.35 ??m SiGe BiCMOS technology. The LNA is designed with multiple resistive feedback structure. In addition, peaking capacitors at both emitters were adopted to compensate for the gain rolloff at higher frequency. The results of simulation show that the LNA has over 22.3 dB gain with less than 1 dB variation, noise...
This paper presents a SiGe HBT low noise amplifier (LNA) using resistive feedback scheme for ultra-wideband (UWB) applications. This amplifier is implemented in 0.35 um SiGe process and is unconditionally stable. The simulated results show the LNA has over 21 dB gain with less than 1 dB variation over 3-10 GHz. The matched input and output reflection are all less than -10 dB. The noise figure is 4...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.