Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
A metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor structure containing gold (Au) nanoparticles (NPs) within sol-gel derived HfO2 high-κ oxide is fabricated. Firstly, the Au NPs with particle size of about 3.3 nm were synthesized by chemical reduction method. Then the 10 nm-thick HfO2 tunneling oxide, the Au NPs and the 15 nm-thick HfO2 control oxide were prepared by spin coating method to construct a Si/HfO...
In this work, a Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitor (Si/SiO2/Au nanoparticles/HfO2) has been fabricated. Gold (Au) nanoparticles with particle size of about 3.3 nm were synthesized by chemical reduction method. Then the self-assembled gold nanoparticles were attached to 3-aminopropyltrimethoxysilane (APTMS) modified silicon oxide substrates by the spin coating method. With the spin coating method,...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.