Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
In this study, 30x30 mm 2 free-standing GaN substrates were fabricated from 400-450 μm thick GaN films grown on (0001) sapphire by hydride vapor phase epitaxy (HVPE). The thick films were separated from the substrate by mechanical polishing liftoff method, using a diamond slurry. After liftoff, the bow is only slight or absent in the resulting free-standing GaN wafers.
In this study, we report the results of comparison of GaN film properties grown on bare sapphire and on MOCVD GaN epi-layer. Comparing with properties of two GaN films, we used double crystal X-ray diffraction (DCXRD), scanning electron microscopy and cathodoluminescence (CL) spectroscopy and imaging techniques. As a result of these measurements, we found that GaN films grown on MOCVD GaN epi-layer...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.