Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
We propose a novel Vth, control method for HfSiON (or HfO2) with poly-Si and metal inserted poly-Si stacks (MIPS) gates. By using a selective AlOx etch (SAE) process, we successfully integrate dual high-k gate oxide scheme; HfSiO/poly-Si stack for nMOS and HfSiO/AlOx/poly-Si stack for pMOS. Therefore, symmetrical Vth values of 0.43V(nMOS)/-0.44V (pMOS) have been obtained in poly-Si gate. For MIPS...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.