Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Herein, fluorine (F) plasma and HCl solution treatments are used as post etching treatment to improve the performance of recessed anode AlGaN/GaN Schottky barrier diodes (SBDs). To avoid the deterioration in the forward characteristics caused by F‐plasma treatment, the deep recessed anode structure is designed. Simulation results show that when the recessed depth exceeds 60 nm, the forward current...
Three types of enhancement‐mode (E‐mode) AlGaN/GaN metal–insulator–semiconductor high electron mobility transistors (MIS‐HEMTs) with different barrier depths are fabricated on Si substrates. A HfO2 gate insulator with a thickness of 30 nm is grown by plasma‐enhanced atomic layer deposition (PEALD) at 300 °C. The drain current density and transconductance increase greatly after post‐gate‐annealing...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.