Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
500 times 150 nm2 GaInAsP wired waveguides were fabricated on a Si substrate by adhesive bonding using benzocyclobutene (BCB). The propagation loss of 2.1 dB/mm and 1.5 mum-radius bending loss of less than 1.0 dB/90deg were obtained.
An injection-type distributed-feedback laser, with wirelike active regions, directly bonded on a silicon-on-insulator substrate, was realized. A low threshold current Ith of 104 mA was obtained at a stripe width of 25 mum and a cavity length of 1 mm. A sidemode suppression ratio of 28 dB was obtained at 1.3 Ith.
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.