Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Advanced junction scaling with device performance gain, leakage reduction and reduced threshold voltage (Vth) variation are critical for CMOS 28nm node and future scaling. In this paper, implant induced defect engineering for higher drive current with reduced SRAM defectivity, advanced junction formation and Vth mismatch (Vtmin) on a state-of-the-art 28nm logic flow are demonstrated and discussed.
In this letter, we have demonstrated that cryogenic implant in the source and drain formation offers advantages for reducing the threshold voltage mismatch in pMOSFET. A discrete dopant profiling method is used to verify the presence of boron out-diffusion from the drain, which further induces the random dopant fluctuation. Results show that this boron out-diffusion can be greatly reduced in this...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.