Serwis Infona wykorzystuje pliki cookies (ciasteczka). Są to wartości tekstowe, zapamiętywane przez przeglądarkę na urządzeniu użytkownika. Nasz serwis ma dostęp do tych wartości oraz wykorzystuje je do zapamiętania danych dotyczących użytkownika, takich jak np. ustawienia (typu widok ekranu, wybór języka interfejsu), zapamiętanie zalogowania. Korzystanie z serwisu Infona oznacza zgodę na zapis informacji i ich wykorzystanie dla celów korzytania z serwisu. Więcej informacji można znaleźć w Polityce prywatności oraz Regulaminie serwisu. Zamknięcie tego okienka potwierdza zapoznanie się z informacją o plikach cookies, akceptację polityki prywatności i regulaminu oraz sposobu wykorzystywania plików cookies w serwisie. Możesz zmienić ustawienia obsługi cookies w swojej przeglądarce.
Gallium Nitride Surface
The vulnerability of the GaN surface is a critical restriction that hinders the development of GaN‐based devices. In article number 2208960, Junting Chen, Junlei Zhao, Mengyuan Hua, and co‐workers report the conversion of the GaN surface into a gallium oxynitride (GaON) epitaxial nanolayer by an in situ two‐step “oxidation–reconfiguration” process. The metastable GaON nanolayer...
Gallium nitride (GaN), a promising alternative semiconductor to Si, is widely used in photoelectronic and electronic technologies. However, the vulnerability of the GaN surface is a critical restriction that hinders the development of GaN‐based devices, especially in terms of device stability and reliability. In this study, this challenge is overcome by converting the GaN surface into a gallium oxynitride...
Podaj zakres dat dla filtrowania wyświetlonych wyników. Możesz podać datę początkową, końcową lub obie daty. Daty możesz wpisać ręcznie lub wybrać za pomocą kalendarza.